Natisni stran
2N5088G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 50 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. dela2N5088G.
Številka naročila1653602
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation625mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tehnični podatki
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
50mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaThailand
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaThailand
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00025