Natisni stran
SGH80N60UFDTU
IGBT, 80 A, 2.6 V, 195 W, 600 V, TO-3P, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaSGH80N60UFDTU
Številka naročila1057675
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaSGH80N60UFDTU
Številka naročila1057675
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.6V
Power Dissipation195W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternative za SGH80N60UFDTU
1 najden izdelek
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
195W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.6V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.006