siss52dn
": 2Prikaz pogodbeno določenih cen trenutno ni na voljo. Prikazane so standardne maloprodajne cene, oddana naročila pa bodo obdelana po pogodbeno določenih cenah.
Proizvajalčeva št. dela | Številka naročila | Opis / Proizvajalec | Razpoložljivost | Cena za |
Cena
|
Količina | Transistor Polarity | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Rds(on) Test Voltage Vgs | Transistor Mounting | Threshold Voltage Vgs | Transistor Case Style | Power Dissipation Pd | No. of Pins | Operating Temperature Max | Product Range | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | ||||||||
SISS52DN-T1-GE3
![]() |
3586074 |
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount VISHAY
Ta izdelek ste že kupili.
Oglejte si zgodovino naročil
|
|
Each (Supplied on Cut Tape) |
1+ € 1,30 10+ € 1,03 100+ € 0,938 500+ € 0,79 |
Izdelek z omejitvijo
Najmanjše naročilo 1 izdelkov Le večkratniki 1 Vnesite veljavno količino. Min: 1
Mult:
1
|
N Channel | 162A | 30V | 950µohm | 10V | Surface Mount | 2.2V | PowerPAK 1212-8S | 57W | 8Pins | 150°C | TrenchFET Gen V | |
SISS52DN-T1-GE3
![]() |
3586074RL |
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 162 A, 0.00095 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount VISHAY
Ta izdelek ste že kupili.
Oglejte si zgodovino naročil
|
|
Each (Supplied on Cut Tape)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5
|
100+ € 0,938 500+ € 0,79 |
Izdelek z omejitvijo
Najmanjše naročilo 100 izdelkov Le večkratniki 1 Vnesite veljavno količino. Min: 100
Mult:
1
|
N Channel | 162A | 30V | 950µohm | 10V | Surface Mount | 2.2V | PowerPAK 1212-8S | 57W | 8Pins | 150°C | TrenchFET Gen V |