Natisni stran
FGH4L50T65SQD
IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFGH4L50T65SQD
Številka naročila3929763
tehnični podatkovni list
417 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 4,150 |
| 10+ | € 2,300 |
| 100+ | € 2,250 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 4,15 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFGH4L50T65SQD
Številka naročila3929763
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation268W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
268W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00542
Sledenje izdelku