Natisni stran
IPB60R099CPATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPB60R099CPATMA1
Številka naročila1664014
Znano tudi kotIPB60R099CP, SP000088490
tehnični podatkovni list
454 Na Zalogi
1000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 5,720 |
| 10+ | € 4,130 |
| 100+ | € 3,600 |
| 500+ | € 3,590 |
| 1000+ | € 2,930 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 5,72 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPB60R099CPATMA1
Številka naročila1664014
Znano tudi kotIPB60R099CP, SP000088490
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The IPB60R099CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. It is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low RDS (ON)
- Very fast switching
- Internal Rg very low
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
Področja uporabe
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Alternative Energy
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (3)
Alternative za IPB60R099CPATMA1
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.00143
Sledenje izdelku